Materiais Elétricos

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1a Questão (Cód.: 86555)
	Pontos: 0,5  / 0,5
	Como é chamada a grandeza constante que está presente na Lei de Ohm?
		
	
	Indutância
	
	Condutividade
	
	 Resistividade
	 
	Resistência
	
	Condutância
	
	
	 2a Questão (Cód.: 160208)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	A Agência Espacial Americana, NASA, responsável pela administração nacional da Aeronáutica e do Espaço, desenvolve pesquisas na área de Ciência dos Materiais. As condições severas do espaço sideral, como grandes amplitudes térmicas (diferença entre a temperatura máxima e mínina) e a exposição a radiação, exigem ligas metálicas de grande tenacidade, materiais cerâmicos com alta resistência a abrasão e polímeros de alta leveza e grande resistência mecânica. Para obter materiais com estas propriedades, muitas vezes são combinados elementos e substâncias com propriedades semicondutoras, condutoras e isolantes.
Entre as opções a seguir, escolha aquela que contenha somente materiais semicondutores e isolantes.
		
	
	Silício, Germânio, Arseneto de Gálio e Fosfeto de Gálio.
	 
	Silício, Ferro, água pura.
	
	Madeira, borracha e água pura.
	 
	Arseneto de Gálio, madeira e borracha.
	
	Cobre, Ouro, Prata e Níquel.
	
	
	 3a Questão (Cód.: 160290)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	A técnica mais utilizada para obtenção de semicondutores extrínsecos é a inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n.
 (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
		
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	
	 4a Questão (Cód.: 160248)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	Uma das maneiras de inserir Fósforo e o Boro na rede cristalina do Silício de alta pureza é através da evaporação dos elementos de interesse em adequadas câmaras de vácuo, técnica de fabricação utilizada primeiramente em 1955. (MEYER HERBERT W., A History of Electricity and Magnetism , Burnby Library, Connecticut, Norwalk, 1972, Chapter 17).
 
Com relação aos semicondutores é correto afirmar que:
		
	 
	Semicondutores intrínsecos são aqueles que não possuem impurezas.
	
	Mobilidade elétrica é uma grandeza que representa a facilidade de transporte de cargas elétricas em um material.
	
	A obtenção de um semicondutor intrínseco exige técnicas de purificação de difícil execução denominadas dopagem.
	 
	Na eletrônica presente em microprocessadores, são utilizados somente semicondutores intrínsecos, sendo vetada a presença de qualquer impureza no sistema.
	
	A condutividade elétrica de um semicondutor expressa a facilidade de transporte de cargas elétricas somente se o semicondutor for do tipo-p, ou seja, puro.
	
	
	 5a Questão (Cód.: 8310)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	A planta de Geração Energética Brasileira é formada, em sua grande maioria, por usinas hidrelétricas espalhadas pelos quatro sistemas monitorados pelo Operador Nacional do Sistema Elétrico (ONS). Devido a estas usinas estarem localizadas longe dos centros consumidores, a energia elétrica precisa ser transmitida através de linhas de transmissão. Você, como engenheiro do ONS, recebe a missão para calcular a resistência de uma linha de transmissão de 100 km de comprimento, composta por fios de cobre cuja secção transversal é igual a 500 mm2. Sabendo-se que a temperatura ambiente é igual a 20oC e que a resistividade do cobre nesta temperatura é igual a 1,7x10-8 Ω.m, qual alternativa abaixo indica o valor da resistência ôhmica da linha para uma temperatura de 80oC (Adotar na solução que o coeficiente de temperatura do cobre é igual a 3,9x10-3  oC-1).
		
	
	4,35 Ω
	 
	4,19 Ω
	 
	3,89 Ω
	
	6,8 Ω
	
	3,4 Ω
	
	
	 6a Questão (Cód.: 99583)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 1,25 mΩ. Para isso será utilizado um fio cilíndrico cuja resistividade é igual a 2,6 x 10-6 Ω.cm e comprimento igual a 1,3 metros. Determine o valor da área da seção reta deste fio.
		
	
	0,25 cm2
	 
	0,27 cm2
	
	0,21 cm2
	
	0,23 cm2
	
	0,19 cm2
	
	
	 7a Questão (Cód.: 99579)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Deseja-se construir um resistor com resistência igual 12,5 mΩ. Para isso será utilizado um condutor de seção reta igual a 0,38 mm2 e comprimento igual a 0,33 metros. Determine o valor da resistividade do material a ser utilizado.
		
	
	1,22x 10-6 Ω.cm
	 
	1,44 x 10-6 Ω.cm
	
	1,88x 10-6 Ω.cm
	
	1,11 x 10-6 Ω.cm
	 
	0,99 x 10-6 Ω.cm
	
	
	 8a Questão (Cód.: 160320)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Capacitor é um sistema composto por dois condutores (chamados de armaduras ou de placas) separados por um dielétrico (isolante). Considera-se, de forma simplificada, que a carga deste sistema quando submetido a uma diferença de potencial é a carga em módulo de uma das placas, ou seja, se uma placa tem carga +Q e a outra possui carga ¿Q, dizemos que o capacitor tem carga Q.
 
Considerando o exposto, indique a opção correta.
 
		
	 
	Em um sistema constituído de uma pessoa (o corpo é um condutor) sobre uma prancha de madeira que se encontra sobre um terreno (condutor), podemos dizer que se poderia formar um capacitor onde a pessoa e a terra seriam as armaduras do capacitor e a prancha seria o dielétrico.
	
	A resistividade de um material dielétrico é da mesma ordem de grandeza que a resistividade de um material condutor.
	
	A borracha, o cerâmico genérico e o aço inoxidável são elementos tipicamente encontrados como dielétricos.
	
	Um sistema constituído por duas placas condutoras paralelas submetidas a uma diferença de potencial e com vácuo entre elas não pode ser considerado um capacitor.
	
	A condutividade elétrica de um dielétrico deve ser alta, uma vez que deve haver condução de carga em seu interior.
	
	
	 9a Questão (Cód.: 160230)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor expressão é dada por:
		
	
	V=N.i.IpI.h
	
	V=R.i
	
	=W.A/l
	 
	v=E.e
	
	v=s/t
	
	
	 10a Questão (Cód.: 160245)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	A resistividade de um material varia com a temperatura e, para pequenas variações, podemos assumir que a mesma obedece a expressão =0+T, onde 0 e  ao constantes. Para variações maiores de temperatura, a expressão da resistividade pode assumir a forma  =0+ T+T2 , onde 0 , b e são constantes.
Baseado nas informações anteriores, indique a forma geométrica que melhor indica a variação da resistividade com a temperatura no último caso citado.
		
	
	Elipse.
	
	Círculo.
	
	Reta.
	 
	Parábola.
	 
	Hipérbole.
	
	
=============================================================================
	
	
	
	 Fechar
	
	 1a
Questão (Cód.: 160331)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Está provado que correntes superiores a 20mA são capazes de causar paradas respiratórias, conduzindo algumas vezes a morte.
Um dos objetivos de se utilizar equipamento de proteção individual composto de materiais isolantes elétricos é evitar este tipo de acidente.
Considerando o exposto, determine a opção que provavelmente só apresenta materiais isolantes elétricos.
		
	 
	Borracha, isopor, madeira e cerâmica genérica.
	
	Ferro, madeira porosa e borracha.
	
	Silício, Prata, água pura salgada.
	
	Cobre, Ouro Níquel e Nitrato de Manganês.
	
	Madeira, borracha, Platina e isopor.
	
	
	 2a Questão (Cód.: 160338)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Capacitores ou condensadores são componentes eletrônicos que armazenam energia quando submetidos a um campo elétrico. Define-se, então, a grandeza denominada capacitância, dada por C=0(A/l), onde A representa a área das placas, l a distância entre elas e o é a permissividade do vácuo.
Considerando-se as informações anteriores, calcule o novo espaçamento que deve assumir as placas de um capacitor com r =2 el=1mm quando for utilizado um dielétrico de r =4, considerando-se que a capacitância não deve ser alterada.
		
	
	0,5 mm
	
	4 mm
	 
	2 mm
	
	1 mm
	
	2,5 mm
	
	
	 3a Questão (Cód.: 160620)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Algumas substâncias, como o niobato de potássio e o titanato de chumbo, são capazes de transformar deformações mecânicas em energia elétrica e também de realizar o contrário, transformar energia elétrica em deformações mecânicas. Esta propriedade lhes garante aplicações em diversos utensílios da vida moderna, tais como em microfones, em alarmes sonoros e em agulhas de toca discos (resgatadas a pouco tempo de uma quase obsolescência). (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Com relação a este tipo de substância, podemos dizer que :
		
	
	Este comportamento pode ser aprimorado por meio do aquecimento acima da temperatura de Curie da substância, seguido de resfriamento até temperaturas criogênicas.
	 
	Com o tempo e uso contínuo, alguns cristais que possuem estas propriedades apresentam a perda de intensidade na manifestação das mesmas.
	
	Geralmente as substâncias que apresentam o comportamento descrito são diamagnéticas ou paramagnéticas.
	
	As substâncias que apresentam as propriedades descritas anteriormente não podem apresentar simultaneamente propriedades ferroelétricas.
	 
	Geralmente possuem estruturas cristalinas complexas e com baixo grau de simetria.
	
	
	 4a Questão (Cód.: 160626)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	Diversos materiais exibem a propriedade de manter a polarização elétrica a nível microsestrutural na ausência de campos elétricos externos, tais como o sal de Rochelle, o di-hidrogeno fosfato de potássio, o niobato de potássio entre outros. (CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Com relação a estes materiais, podemos afirmar:
		
	
	São denominados ferrimagnéticos.
	
	São denominados paramagnéticos.
	 
	São denominados diaelétricos.
	
	São denominados ferromagnéticos.
	 
	São denominados ferroelétricos.
	
	
	 5a Questão (Cód.: 160635)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	A utilização de fibras óticas para a transferência de dados e a evolução da eletrônica representaram um salto tecnológico na indústria da informática, promovendo a democratização do acesso a internet e aos hardwares necessários.
Considerando as figuras a seguir, podemos identificá-las como:
 
 
 
		
	 
	(2) Fibra ótica e (3) Resistor
	
	(1) Cabo coaxial e fibra ótica e (2) resistor.
	 
	(1) Fibra ótica e (2) Cabo Coaxial.
	
	(1) Resistor e (3) fibra ótica.
	
	(1) Resistor e (3) Cabo Coaxial.
	
	
	 6a Questão (Cód.: 101485)
	Pontos: 0,0  / 0,5
	O Isolante tem a função de isolação entre o condutor interno e externo, porém esta é uma visão simplificada do que acontece na transmissão de um sinal. Qual das alternativas abaixo é a aquela totalmente incorreta no que tange a conformidade com o texto?
		
	
	Na transmissão de um sinal devemos lembrar que o "sinal" não é formado apenas pela corrente elétrica que ocorre devido a aplicação de um determinado nível de tensão nos condutores interno e externo.
	 
	Muitas vezes uma simples inspeção visual do cabo que desejamos adquirir pode nos indicar alguma informação sobre a qualidade do mesmo.
	
	Além da corrente elétrica, também deve ser considerado o campo elétrico e magnético que se estabelece na isolação em função desta corrente e nível de tensão.
	
	A isolação é importante, e, para que tenhamos certeza sob a qualidade desta isolação devemos levar o material a laboratório e submetê-lo a testes apropriados para verificarmos suas características.
	 
	Este meio a qual chamamos simplesmente de isolação não tem grande importância na qualificação de um cabo coaxial, além daquela de isolar os codutores internos e externos.
	
	
	 7a Questão (Cód.: 86563)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	O valor da resistividade elétrica dos metais e suas ligas possuem uma dependência com a variação da temperatura. De que modo esta dependência é explicitada?
 
 
		
	
	Logarítmica
	
	Exponencial
 
	 
	Trigonométrica
	
	Quadrática
	 
	Linear
	
	
	 8a Questão (Cód.: 160289)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	Semicondutores extrínsecos são obtidos através da inserção de elementos ¿impureza¿ na rede cristalina do Silício, originando portadores de carga na forma de buracos, presentes nos condutores tipo-p, ou elétrons, presentes nos condutores tipo-n.
(CALLISTER, WILLIAM D. Jr. Materials Science and Engineering ¿ An Introduction, John Wiley & Sons, USA, 1997, Chapter 19).
 
Considerando a figura a seguir, escolha a opção correta.
 
 
 
		
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-n.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Germânio.
	 
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor extrínseco de Silício do tipo-p.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Silício.
	
	A figura mostra a rede cristalina de um semicondutor intrínseco de Gálio.
	
	
	 9a Questão (Cód.: 100186)
	Pontos: 0,0  / 1,0
	Considere as seguintes afirmações:
I.       Resistividade de um condutor é a resistência deste condutor na temperatura de 20ºC
II.       Os materiais considerados isolantes têm um valor de condutividade grande.
III.       A condutividade é o inverso da resistividade.
IV.       A unidade da resistividade no SI é o Ω/m.
V.       Resistividade é a resistência específica de um material.
Das afirmações acima podemos dizer que são verdadeiras as:
		
	
	Somente a afirmação III.
	 
	As afirmações III e V.
	 
	As afirmações III e IV.
	
	As afirmações I, IV e V.
	
	As afirmações I, II e IV.
	
	
	 10a Questão (Cód.: 160230)
	Pontos: 1,0  / 1,0
	Materiais cristalinos são aqueles que apresentam em sua microestrutura uma ordenação atômica, podendo manifestar diversos padrões como o cúbico de corpo centrado (CCC) ou cúbico de face centrada (CFC). Quando um campo elétrico é estabelecido através de uma estrutura cristalina, os elétrons sofrem espalhamento, executando movimentos não retilíneos. Para descrever a velocidade desenvolvida por estas partículas no condutor, criou-se o conceito de velocidade de deslocamento, em Inglês, drift velocity, cuja melhor expressão é dada por:
		
	
	V=N.i.IpI.h
	
	v=s/t
	
	=W.A/l
	 
	v=E.e
	
	V=R.i